IGBT是絕緣柵雙極型晶體管 。是由BJT雙極型三極管和MOS絕緣柵型場效應管組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點 。
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1、IGBT是絕緣柵雙極型晶體管 ， 是由BJT雙極型三極管和MOS絕緣柵型場效應管組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點 。GTR飽和壓降低，載流密度大 ， 但驅動電流較大 。MOSFET驅動功率很?。廝俁瓤? ，但導通壓降大 ， 載流密度小 。
【igbt是什么】2、IGBT綜合了兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低 。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域 。
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