【光刻技術的原理是什么?】

光刻工藝是利用類似照相制版的原理,在半導體晶片表面的掩膜層上面刻蝕精細圖形的表面加工技術 。也就是使用可見光和紫外光線把電路圖案投影“印刷”到覆有感光材料的硅晶片表面,再經過蝕刻工藝去除無用部分,所剩就是電路本身了 。光刻工藝的流程中有制版、硅片氧化、涂膠、曝光、顯影、腐蝕、去膠等 。光刻是制作半導體器件和集成電路的關鍵工藝 。自20世紀60年代以來,都是用帶有圖形的掩膜覆蓋在被加工的半導體芯片表面,制作出半導體器件的不同工作區 。隨著集成電路所包含的器件越來越多,要求單個器件尺寸及其間隔越來越小,所以常以光刻所能分辨的最小線條寬度來標志集成電路的工藝水平 。國際上較先進的集成電路生產線是1微米線,即光刻的分辨線寬為1微米 。日本兩家公司成功地應用加速器所產生的同步輻射X射線進行投影式光刻,制成了線寬為0.1微米的微細布線,使光刻技術達到新的水平 。
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