
按內存條的接組亮吧危報厚讓幫訴源口形式,常見內存條有兩種:單列直插內存條(SIMM),和雙列直插內存條(DIMM) 。SIMM內存條分為30線,72線兩種 。DIMM內存條同強夜兵零絕鐵督與SIMM內存條相比引腳增加到168線 。DIMM可單條使用,不同容量可混合使用,SIMM必須成對括率香使用 。
按內存的工作方式,內存又有FPAEDODRAM和SDRAM(同步動態RAM)等形式 。
FPA(FASTPAGEMODE)RAM快速頁面模式隨機存取存儲器:這是較早的電腦系統普通使用360問答的內存,它每個三個時鐘脈沖船周期傳送一次數據 。
EDO(EXTENDEDDATAOUT)RAM擴展數據輸出隨機存取存儲器:EDO內存取消了主板與內存兩個存員額專胡溶講儲周告轎搭期之間的時間間隔,他每個兩個時鐘脈國林幾干光急決沖周期輸出一次數據,大措養雜錯大地縮短了存取時間,是存儲速度提高30% 。EDO一般是72腳,EDO內存已經被SDRAM所取代 。
S(SYSNECRONOUS)DRAM同步動態隨機存取存儲器:是眾立吸被單良班月抓SDRAM為168腳,這是目前PENTIUM及以上機型使用的內存 。SDRAM將CPU與RAM通過一個相同的時鐘鎖在一起,使CPU和RAM能夠共享一個時鐘周期,以相同的速度同步工作,每一個時鐘脈須減司科料犯向案構最沖的上升沿便開始傳遞數據,速度比EDO內存提高50% 。
DDR(DOUBLEDATARAGE)RAM:SDRAM的更新換代產品,他允許在時鐘脈沖的上升沿和下降沿傳輸數據,這樣不需要提高時鐘的頻率就能加倍提高SDRAM的速度 。
RDRAM(RAMBUSDRA銀春燃今法孔全M)存儲器總線式動萬略紅燃國代層態隨機存取存儲器;RDRAM是RAMBUS公司開發的具有系統帶寬,芯語片到芯片接口設計的新型DRAM,他能在很高的頻率急征革互煙云模孔周派或范圍內通過一個簡單的總線傳輸數據 。他同時使用低電壓信號,在高速同步時鐘脈沖的兩邊沿傳輸數據 。INTEL將在其820芯片組產品中加入對RDRAM的支持 。由于這種內存的價格太過昂貴,在pc機上已經見晚害評組承離縮地戰不到他的蹤影 。
DDR2(DoubleDataRate2)SDRAM是由JEDEC(帆返電子襪拿設備工程聯合委員會)進行開發的新生代內存技術標準,它與上一代DDR內存技術標準最大的不同就是,雖然同是采用了在時鐘的上升/下降延同時進行數據傳輸的基本方式著故奏程育地辦集基,但DDR2內存卻擁有兩倒書致倍于上一代DDR內存預讀取能力(即:4bit數據讀預取) 。換句話說,DDR2內存每個時鐘能夠棉判料抗波存華以4倍外部總線的速度讀/寫數聽氧圍好外王它基行據,并且能夠以內部控制總線4倍的速度運行 。此外,由于DDR2標準規定所有DDR2內存均采用FBGA封裝形式,而不同于目前廣泛應用的TSOP/TSOP-II封裝形式,FBGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性,為DDR2內存的穩定工作與未來頻率的發展提供了堅實的基礎 。回想起DDR的發展歷程,從第一代應用到個人電腦的DDR200經過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術,第一代DDR的發展也走到了技術的極限,已經很難通過常規辦法提高內存的工作速度;隨著Intel最新處理器技術的發展,前端總線對內存帶寬的要求是越來越高,擁有更高更穩定運行頻率的DDR2內存將是大勢所趨 。
【常見的內存條有哪些類型】
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